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据韩媒 The Elec 报道，存储器大厂三星组建一支专业团队，负责开发 4F² DRAM 储存单元结构。相较现有6F²DRAM储存单元结构，不改变制程下，4F²DRAM储存单元结构芯片面积最高可减少达30%。

原本4F Square是种单元结构技术，DRAM产业早在10年前就尝试商业化，但以失败告终。

三星再组织团队，研发4F²DRAM储存单元结构芯片，新结构晶体管根据电流流入和流出方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）等整套系统。

结构就是在漏极（D）上方安装储存电荷的电容器，晶体管和水平排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触。WL 连到栅极（G），负责晶体管开与关; BL 连到源极（S），负责读取和写入数据。